工作电压半导体芯片
氧化硅场效应管
氧化硅MOSFET
电绝缘栅双极单晶体管(IGBTs)
电源开关安全管理集成块
借助于荣获发明权的缓冲区JBS设计和当先的衬底减薄技术性,北京飞锃半导体技术技术 供应了兼备高工作效率稳定性的超小尺码IC集成ic。 新IC集成ic可将箱式变压器和蒸发器器的尺码减低30%。飞锃半导体技术技术的增碳硅整流二极管类产品品类丰富多彩,与时代国际当先竞品分析角度兼容,和配合业当先的芯片封装,如TO220、TO247-2、TO247-3、TO252、TO263、DFN等。
飞锃光电器件芯片自动研发项目管理的氧化硅MOSFET 兼具高打开频繁,低导通电解电容,优秀企业高温环境的特点,与耐高压干式变压器等资源优势,蕴含着重复使用现今IGBT和超结MOSFET的许许多多成长性。其操作在极高频繁的交流开关开关电源规划里,才可以缩减体统微电网配件的质量分数,举个例子大电感,大干式变压器及大发热量电解电容等,然后降体统投资成本。飞锃光电器件芯片上线的第二名代正等轴测图空间结构MOSFET提高了光伏系统风电设备,新再生资源客车车,不中止交流开关开关电源,功能器交流开关开关电源等操作往有效率与高可性靠快速发展的市场需求。
重庆贝岭机构的IGBT商品,主要包括了垂直面高鲁棒因素系统, 基本概念垫层场结束型(Trench Field Stop)系统的高系统,紧密联系了超轻薄片制作工艺生产工艺(Ultra Thin Wafer Process)或产品局部期调整等系统,为显著调节了响动态能力折中,下跌提供了公率元器件的公率硬度,使公率元器件可耐工作上环境温度更快,变为工作效率挺大,适用期更长。
昆明贝岭主机供电管控成品含盖DC/DC,LDO,直流电压检查,e充电管控,电流开关按钮,继机械动力、LED动力等成品款型,能够为加盟商配套设计完善的主机供电管控设计。
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